NEXPERIA

Транзистор PMPB10XNEZ

DFN2020MD-6, SOT1220Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 5.7 A
Pulsed drain current: 36 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMPB10XNEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	5.7 A
Pulsed drain current	36 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	21 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 36A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.