NEXPERIA

Транзистор PMPB100XPEAX

DFN2020MD-6, SOT1220Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2 A
Pulsed drain current: -13 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMPB100XPEAX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2 A
Pulsed drain current	-13 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	-12...8 V
On-state resistance	191 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.