Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN55ENEAX

PMN55ENEAX
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
14 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMN55ENEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current14 A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A

Документация

Документы пока не предоставлены.