NEXPERIA

Транзистор PMN48XP,115

PMN48XP,115

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.5 A
Pulsed drain current: -20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMN48XP,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.5 A
Pulsed drain current	-20 A
Корпус	SC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	80 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.