NEXPERIA

Транзистор PMN30XPEX

PMN30XPEX

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -3.4 A
Pulsed drain current: -21 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMN30XPEX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-3.4 A
Pulsed drain current	-21 A
Корпус	SC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	49 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -21A

Документация

Документы пока не предоставлены.