Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN30XPAX

PMN30XPAX
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-3.3A
Pulsed drain current
-21A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMN30XPAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-3.3A
Pulsed drain current-21A
Power dissipation0.66W
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance62mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -21A

Документация

Документы пока не предоставлены.