Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN30UNX

PMN30UNX
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
2.9A
Pulsed drain current
18A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMN30UNX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current2.9A
Pulsed drain current18A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance61mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 18A

Документация

Документы пока не предоставлены.