Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN30ENEAX

PMN30ENEAX
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
3.8 A
Pulsed drain current
22 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMN30ENEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current3.8 A
Pulsed drain current22 A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance57 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.8A; Idm: 22A

Документация

Документы пока не предоставлены.