Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN25ENEH

PMN25ENEH
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.8 A
Pulsed drain current
25 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMN25ENEH
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.8 A
Pulsed drain current25 A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 25A

Документация

Документы пока не предоставлены.