Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN230ENEAX

PMN230ENEAX
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.1 A
Pulsed drain current
7.1 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMN230ENEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1.1 A
Pulsed drain current7.1 A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance482 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 7.1A

Документация

Документы пока не предоставлены.