Антава

NEXPERIA

Транзистор PMN120ENEX

PMN120ENEX
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
1.5A
Pulsed drain current
10A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMN120ENEX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current1.5A
Pulsed drain current10A
КорпусSC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance246mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.