NEXPERIA

Транзистор PMN100EPAX

PMN100EPAX

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -1.6 A
Pulsed drain current: -10 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMN100EPAX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-1.6 A
Pulsed drain current	-10 A
Корпус	SC74, SOT457, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	276 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -10A

Документация

Документы пока не предоставлены.