Антава

NEXPERIA

Транзистор PMH400UNEH

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
570 mA
Pulsed drain current
3 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMH400UNEH
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current570 mA
Pulsed drain current3 A
КорпусDFN0606-3, SOT8001
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance825 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge930pC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 570mA; Idm: 3A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.