Антава

NEXPERIA

Транзистор PMGD780SN,115

PMGD780SN,115
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.31 A
Power dissipation
0.41 W
Корпус
SC88, SOT363, TSSOP6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 880 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%48,16 ₽

Сумма · с НДС 22%48,16 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 148,16 ₽
от 1036,80 ₽
от 2530,63 ₽
от 10025,82 ₽
от 25023,31 ₽
от 50021,77 ₽
от 100020,81 ₽
от 300018,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPMGD780SN,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.31 A
Power dissipation0.41 W
КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.05nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW

Документация

Документ производителя