NEXPERIA
Транзистор PMGD280UN,115
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 0.55 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.4 W
- Корпус
- SC88, SOT363, TSSOP6
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 475 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%41,44 ₽
Сумма · с НДС 22%41,44 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 41,44 ₽ | |
| от 10 | 37,12 ₽ | |
| от 25 | 31,17 ₽ | |
| от 100 | 28,11 ₽ | |
| от 250 | 25,95 ₽ | |
| от 500 | 24,87 ₽ | |
| от 1000 | 22,16 ₽ | |
| от 3000 | 20,72 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PMGD280UN,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 0.55 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.4 W |
| Корпус | SC88, SOT363, TSSOP6 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.66 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.89nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.