NEXPERIA
Диод PMEG200G10ELRX
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 200 V
- Load current
- 1 A
- Reverse recovery time
- 34ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%59,54 ₽
Сумма · с НДС 22%59,54 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 59,54 ₽ | |
| от 10 | 41,68 ₽ | |
| от 25 | 37,45 ₽ | |
| от 100 | 34,57 ₽ | |
| от 250 | 33,03 ₽ | |
| от 500 | 29,77 ₽ | |
| от 1000 | 27,66 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PMEG200G10ELRX |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 200 V |
| Load current | 1 A |
| Reverse recovery time | 34ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | silicon germanium diode (SiGe) |
| Корпус | SOD123 W |
| Max. forward voltage | 0.805 V |
| Max. forward impulse current | 40 A |
| Leakage current | 30nA |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 34ns; SOD123W; Ufmax: 0.805V
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.