NEXPERIA

Транзистор PMDXB600UNEZ

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 0.4 A
Pulsed drain current: 2.5 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMDXB600UNEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	0.4 A
Pulsed drain current	2.5 A
Корпус	DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	1 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A

Документация

Документы пока не предоставлены.