Антава

NEXPERIA

Транзистор PMDXB550UNEZ

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.37 A
Pulsed drain current
2.3 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMDXB550UNEZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.37 A
Pulsed drain current2.3 A
КорпусDFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.05nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A

Документация

Документы пока не предоставлены.