NEXPERIA

Транзистор PMDXB1200UPEZ

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMDXB1200UPEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-0.26A
Pulsed drain current	-1.7A
Корпус	DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	2.4Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A

Документация

Документы пока не предоставлены.