Антава

NEXPERIA

Транзистор PMDT290UNE,115

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.5 A
Pulsed drain current
3.2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMDT290UNE,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.5 A
Pulsed drain current3.2 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусSOT666
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance610 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A

Документация

Документы пока не предоставлены.