NEXPERIA

Транзистор PMDT290UCE,115

Фото уточняется

Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20 V
Drain current: 500/-350 mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMDT290UCE,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N/P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20/-20 V
Drain current	500/-350 mA
Pulsed drain current	-2.2...3.2 A
Power dissipation	0.5 W
Корпус	SOT666
Gate-source voltage	±8/±8 V
On-state resistance	610 mΩ/1.4 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.68/1.14nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA

Документация

Документы пока не предоставлены.