NEXPERIA

Транзистор PMDPB85UPE,115

DFN2020-6, HUSON6, SOT1118Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -1.8 A
Pulsed drain current: -11.6 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMDPB85UPE,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-1.8 A
Pulsed drain current	-11.6 A
Корпус	DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	144 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.1nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -11.6A

Документация

Документы пока не предоставлены.