NEXPERIA

Транзистор PMDPB70XP,115

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -1.9 A
Pulsed drain current: -11.6 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMDPB70XP,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-1.9 A
Pulsed drain current	-11.6 A
Корпус	DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	137 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -1.9A; Idm: -11.6A

Документация

Документы пока не предоставлены.