NEXPERIA

Транзистор PMDPB58UPE,115

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.4A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMDPB58UPE,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-2.3A
Pulsed drain current	-14.4A
Корпус	DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	95mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.4A

Документация

Документы пока не предоставлены.