NEXPERIA

Транзистор PMCXB900UEZ

Фото уточняется

Type of transistor: N/P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20 V
Drain current: 400/-300 mA
Pulsed drain current: -2...2.5 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMCXB900UEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N/P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20/-20 V
Drain current	400/-300 mA
Pulsed drain current	-2...2.5 A
Корпус	DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage	±8/±8 V
On-state resistance	1/2.1 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	700pC/2.1nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA

Документация

Документы пока не предоставлены.