NEXPERIA

Транзистор PMCM4401UPEZ

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2 A
Pulsed drain current: -13 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMCM4401UPEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2 A
Pulsed drain current	-13 A
Корпус	WLCSP4
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	0.12 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A; WLCSP4

Документация

Документы пока не предоставлены.