Антава

NEXPERIA

Транзистор PMBF170,215

PMBF170,215
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.19A
Pulsed drain current
1.2A
Power dissipation
0.83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMBF170,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.19A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.83W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.25Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W

Документация

Документы пока не предоставлены.