Антава

PANJIT

Транзистор PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPJW4N06A_R2_00001
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность3.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.