Антава

PANJIT

Транзистор PJT7801_R1_00001

PJT7801_R1_00001
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-0.7 A
Pulsed drain current
-2.8 A
Рассеиваемая мощность
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 844 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%97,38 ₽

Сумма · с НДС 22%97,38 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 197,38 ₽
от 1047,79 ₽
от 5021,64 ₽
от 10019,48 ₽
от 25017,85 ₽
от 50016,41 ₽
от 100015,33 ₽
от 300014,61 ₽
от 600014,43 ₽
от 900014,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPJT7801_R1_00001
ПроизводительPANJIT
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-0.7 A
Pulsed drain current-2.8 A
Рассеиваемая мощность0.35 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW

Документация

Документы пока не предоставлены.