PANJIT
Транзистор PJT7600_R1_00001
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20/-20 V
- Drain current
- 1 A/-700 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.35 W
- Корпус
- SOT363
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 680 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%81,22 ₽
Сумма · с НДС 22%81,22 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 81,22 ₽ | |
| от 10 | 44,76 ₽ | |
| от 50 | 35,01 ₽ | |
| от 100 | 31,22 ₽ | |
| от 500 | 23,28 ₽ | |
| от 1000 | 20,39 ₽ | |
| от 3000 | 15,70 ₽ | |
| от 6000 | 14,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PJT7600_R1_00001 |
|---|---|
| Производитель | PANJIT |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20/-20 V |
| Drain current | 1 A/-700 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.35 W |
| Корпус | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 400/600 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.6/2.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.