PANJIT

Транзистор PJQ4435EP_R2_00201

DFN3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -41 A
Pulsed drain current: -138 A
Рассеиваемая мощность: 13.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PJQ4435EP_R2_00201
Производитель	PANJIT
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-41 A
Pulsed drain current	-138 A
Рассеиваемая мощность	13.5 W
Корпус	DFN3333-8
Gate-source voltage	±25 V
On-state resistance	12.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34nC
Kind of package	reel
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.