PANJIT
Транзистор PJQ2888_R1_00001
DFN2020-8Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 1.5 A
- Pulsed drain current
- 6 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.25 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | PJQ2888_R1_00001 |
|---|---|
| Производитель | PANJIT |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 1.5 A |
| Pulsed drain current | 6 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Корпус | DFN2020-8 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.