Антава

PANJIT

Транзистор PJQ1905_R1_00201

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.5 A
Pulsed drain current
1 A
Рассеиваемая мощность
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPJQ1905_R1_00201
ПроизводительPANJIT
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.5 A
Pulsed drain current1 A
Рассеиваемая мощность0.5 W
КорпусDFN1006-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1A; 500mW; DFN1006-3

Документация

Документы пока не предоставлены.