Антава

PANJIT

Транзистор PJMD900N60EC_L2_00001

PJMD900N60EC_L2_00001
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
9.7 A
Power dissipation
47.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPJMD900N60EC_L2_00001
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5 A
Pulsed drain current9.7 A
Power dissipation47.5 W
КорпусTO252AA
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.