PANJIT
Транзистор PJE8403_R1_00001
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -0.6 A
- Pulsed drain current
- -2.4 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 975 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%68,75 ₽
Сумма · с НДС 22%68,75 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 68,75 ₽ | |
| от 10 | 36,73 ₽ | |
| от 50 | 29,13 ₽ | |
| от 100 | 26,23 ₽ | |
| от 500 | 20,63 ₽ | |
| от 1000 | 18,45 ₽ | |
| от 4000 | 14,66 ₽ | |
| от 12000 | 13,93 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PJE8403_R1_00001 |
|---|---|
| Производитель | PANJIT |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -0.6 A |
| Pulsed drain current | -2.4 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Корпус | SOT523 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 0.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.