PANJIT
Транзистор PJD35P03_L2_00001
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -35 A
- Pulsed drain current
- -140 A
- Рассеиваемая мощность
- 35 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 476 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%91,60 ₽
Сумма · с НДС 22%91,60 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 91,60 ₽ | |
| от 10 | 72,00 ₽ | |
| от 100 | 54,04 ₽ | |
| от 250 | 48,55 ₽ | |
| от 500 | 45,62 ₽ | |
| от 1000 | 41,40 ₽ | |
| от 3000 | 36,09 ₽ | |
| от 6000 | 34,81 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PJD35P03_L2_00001 |
|---|---|
| Производитель | PANJIT |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -35 A |
| Pulsed drain current | -140 A |
| Рассеиваемая мощность | 35 W |
| Корпус | TO252AA |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 30 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 11nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.