PANJIT
Транзистор PJD25N06A_L2_00001
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 25 A
- Pulsed drain current
- 100 A
- Рассеиваемая мощность
- 40 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 973 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%175,28 ₽
Сумма · с НДС 22%175,28 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 175,28 ₽ | |
| от 10 | 107,03 ₽ | |
| от 25 | 80,18 ₽ | |
| от 50 | 64,89 ₽ | |
| от 100 | 54,07 ₽ | |
| от 500 | 40,46 ₽ | |
| от 1000 | 38,04 ₽ | |
| от 3000 | 36,36 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PJD25N06A_L2_00001 |
|---|---|
| Производитель | PANJIT |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 25 A |
| Pulsed drain current | 100 A |
| Рассеиваемая мощность | 40 W |
| Корпус | TO252AA |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 40 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 20nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.