Антава

PANJIT

Транзистор PJD18N20_L2_00001

PJD18N20_L2_00001
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPJD18N20_L2_00001
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current11 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусTO252AA
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.