Антава

PANJIT

Транзистор PJC7476_R1_00001

PJC7476_R1_00001
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPJC7476_R1_00001
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.35 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW

Документация

Документы пока не предоставлены.