Антава

NEXPERIA

Транзистор PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6.5 A
Pulsed drain current
26 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPHT6NQ10T,135
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current6.5 A
Pulsed drain current26 A
Power dissipation8.3 W
КорпусSC73, SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.