Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор PHE13009/DG,127

PHE13009/DG,127
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
400V
Collector current
12A
Power dissipation
80W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPHE13009/DG,127
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage400V
Collector current12A
Power dissipation80W
КорпусTO220AB
Current gain8...40
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Heatsink thicknessmax. 1.3mm
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm

Документация

Документы пока не предоставлены.