Антава

NEXPERIA

Транзистор PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
136 A
Power dissipation
97 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 468 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%305,07 ₽

Сумма · с НДС 22%305,07 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1305,07 ₽
от 10265,03 ₽
от 25245,96 ₽
от 100234,52 ₽
от 250211,64 ₽
от 500196,39 ₽
от 800188,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPHB32N06LT,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current24 A
Pulsed drain current136 A
Power dissipation97 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 97W

Документация

Документы пока не предоставлены.