Антава

NEXPERIA

Транзистор PHB20N06T,118

PHB20N06T,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
14.3 A
Pulsed drain current
81 A
Power dissipation
62 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 649 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%106,37 ₽

Сумма · с НДС 22%106,37 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1106,37 ₽
от 10100,67 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPHB20N06T,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current14.3 A
Pulsed drain current81 A
Power dissipation62 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.