PANJIT

Диод PE13SD03M4Q_R1_00201

DFN2510 A-10Изображение корпуса

Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5 V
Max. forward impulse current: 16 A
Semiconductor structure: bidirectional
Монтаж: SMD — поверхностный
Корпус: DFN2510 A-10

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PE13SD03M4Q_R1_00201
Производитель	PANJIT
Type of diode	TVS array
Breakdown voltage	5.5 V
Max. forward impulse current	16 A
Semiconductor structure	bidirectional
Монтаж	SMD — поверхностный
Корпус	DFN2510 A-10
Max. off-state voltage	3.3 V
Leakage current	1 µA
Количество каналов	4
Ёмкость	0.27 pF

Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 5.5V; 16A; bidirectional; DFN2510A-10; Ch: 4

Документация

Документы пока не предоставлены.