Антава

NEXPERIA

Транзистор PDTB113ZQAZ

Type of transistor
PNP
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.5 A
Рассеиваемая мощность
325 mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPDTB113ZQAZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorPNP
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.5 A
Рассеиваемая мощность325 mW
КорпусDFN1010D-3, SOT1215
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота150 MHz
Base resistor1 kΩ
Base-emitter resistor10 kΩ
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 325mW; DFN1010D-3,SOT1215

Документация

Документы пока не предоставлены.