Антава

NEXPERIA

Транзистор PBSS8110T-QR

PBSS8110T-QR
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
100 V
Collector current
1 A
Рассеиваемая мощность
0.48 W
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPBSS8110T-QR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage100 V
Collector current1 A
Рассеиваемая мощность0.48 W
КорпусSOT23, TO236AB
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Частота100 MHz
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.48W; SOT23,TO236AB

Документация

Документы пока не предоставлены.