Антава

NEXPERIA

Транзистор PBRN113ET-QR

PBRN113ET-QR
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
40 V
Collector current
0.7 A
Рассеиваемая мощность
0.37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPBRN113ET-QR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage40 V
Collector current0.7 A
Рассеиваемая мощность0.37 W
КорпусSOT23, TO236AB
Current gain40...420
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Base resistor1 kΩ
Applicationautomotive industry
Base-emitter resistor1 kΩ
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; BRT; 40V; 0.7A; 370mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документы пока не предоставлены.