NEXPERIA
Транзистор PBHV8515QAZ
DFN1010D-3, SOT1215Изображение корпуса
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 150 V
- Collector current
- 0.5 A
- Power dissipation
- 325 mW
- Корпус
- DFN1010D-3, SOT1215
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | PBHV8515QAZ |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 150 V |
| Collector current | 0.5 A |
| Power dissipation | 325 mW |
| Корпус | DFN1010D-3, SOT1215 |
| Pulsed collector current | 1 A |
| Current gain | 215 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 75 MHz |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 150V; 0.5A; 325mW; DFN1010D-3,SOT1215
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.