SHINDENGEN

Транзистор P8B10SBK-5071

FB (TO252AA)Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 24 A
Рассеиваемая мощность: 23 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	P8B10SBK-5071
Производитель	SHINDENGEN
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	24 A
Рассеиваемая мощность	23 W
Корпус	FB (TO252AA)
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	94 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W

Документация

Документы пока не предоставлены.