Антава

SHINDENGEN

Транзистор P7F60HP2-5600

P7F60HP2-5600
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Hi-PotMOS2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
28 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 340 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%153,86 ₽

Сумма · с НДС 22%153,86 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1153,86 ₽
от 5138,66 ₽
от 25123,47 ₽
от 100115,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяP7F60HP2-5600
ПроизводительSHINDENGEN
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation79 W
КорпусFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.05 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W

Документация

Документ производителя